SiC的加入量對(duì)零膨脹硅磚性能的影響

　　我們對(duì)SiC的顆粒對(duì)硅磚性能的影響進(jìn)行試驗(yàn)分析，結(jié)論選用粒度為≤0.088mmSiC加入硅磚試樣中，研究不同SiC加入量對(duì)零膨脹硅磚性能的影響。檢測(cè)試樣的體積密度，氣孔率，常溫耐壓強(qiáng)度，導(dǎo)熱系數(shù)，物相組成和顯微結(jié)構(gòu)。

　　隨著SiC加入量的增加，試樣的體積密度先升高后降低，顯氣孔率先降低后升高。分析認(rèn)為：隨著SiC加入量的增加，SiO2和SiC形成固相燒結(jié)，試樣的氣孔率降低，體積密度升高。隨著SiC的加入量繼續(xù)增加，SiC于試樣中累積，SiC與SiC在1430℃很難燒結(jié)，試樣內(nèi)部燒結(jié)差，孔隙多，試樣的體積密度降低，顯氣孔率升高。當(dāng)SiC的加入量為5%時(shí)，零膨脹硅磚試樣的體積密度較大，顯氣孔率較低。

　　隨著SiC加入量的增加，試樣的常溫耐壓強(qiáng)度隨著SiC加入量的增加而增大;SiC的加入量為5%時(shí)，試樣的常溫耐壓強(qiáng)度達(dá)到43Mpa較大。隨著SiC的加入量進(jìn)一步增加，試樣的常溫耐壓強(qiáng)度開(kāi)始下降。分析認(rèn)為：零膨脹硅磚試樣在1430℃下燒結(jié)，隨著SiC加入量的增加，SiO2與與SiC間形成固相燒結(jié)，試樣燒結(jié)較好，氣孔率較低，試樣的常溫耐壓強(qiáng)度升高，繼續(xù)增加SiC的加入量，SiC在試樣內(nèi)部堆積，在1430℃溫度下，SiC顆粒間難以燒結(jié)，試樣結(jié)合差，孔隙較多，結(jié)構(gòu)疏松，常溫耐壓強(qiáng)度降低。

　　經(jīng)過(guò)1430℃煅燒后，每組零膨脹硅磚試樣的衍射較強(qiáng)峰都是方石英相，SiC加入量為5%時(shí)，2θ為25.8處殘余石英特征峰峰高值較小，2θ為21.3處鱗石英的特征峰峰高值較大。通過(guò)HighscorePlus軟件，對(duì)每組XRD圖譜擬合半定量分析，可以觀察到，隨著SiC加入量的增加，鱗石英的含量逐漸降低，說(shuō)明SiC的加入量的增多意味著SiO2細(xì)粉量的減少，SiC不易被燒結(jié)，抑制鱗石英析晶，降低鱗石英的含量。

　　隨著SiC加入量的增加，試樣的導(dǎo)熱系數(shù)先上升后下降，當(dāng)SiC的加入量為6%時(shí)，試樣的導(dǎo)熱系數(shù)較大。隨著SiC加入量繼續(xù)增加，試樣的導(dǎo)熱系數(shù)稍有降低。說(shuō)明SiC加入量過(guò)多，零膨脹硅磚試樣內(nèi)部結(jié)構(gòu)疏松，體積密度降低，導(dǎo)熱系數(shù)下降。

　　綜上所述：SiC的加入量為5%時(shí)，硅磚試樣體積密度、常溫耐壓強(qiáng)度和導(dǎo)熱系數(shù)較大，顯氣孔率較低。